RugSiC(Rugged-SiC),即高魯棒性碳化硅器件。該器件不僅具備極高魯棒性、可靠性,而且高頻性能比肩氮化鎵,在半導體產(chǎn)業(yè)史上有著特殊意義:自1947年貝爾實驗室發(fā)明晶體管以來,它是首個中國本土發(fā)明,擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新概念半導體器件,將以關(guān)鍵元器件的角色,走進全球萬千家庭和工業(yè)應(yīng)用場景。

性能更優(yōu): 龍馳 RugSiC為常關(guān) E-mode 器件,對比頭部友商, Rsp減小至少20%,同規(guī)格RugSiC具有15%的面積優(yōu)勢,應(yīng)用系統(tǒng)具備更強的異常工況適應(yīng)能力,提升系統(tǒng)可靠性;
短路耐量高: 高溫飽和電流降低約70%,短路能力可提升至10us以上(實測)滿足工控領(lǐng)域應(yīng)用需求。降低車載領(lǐng)域短路保護回路系統(tǒng)復雜度,降低成本,提升短路安全余量;
產(chǎn)品時域一致性高: 具備更佳溝道性能穩(wěn)定性, RugSiC不存在閾值漂移問題,在高頻多管串并 聯(lián)應(yīng)用場合中產(chǎn)品開關(guān)同步性好,提高系統(tǒng)運行安全系數(shù);
使用壽命長: 具備更佳溝道性能穩(wěn)定性,RugSiC 不存在柵氧擊穿問題,產(chǎn)品具備更長的使用壽命,降低新能源系統(tǒng)的運維成本。
RugSiC已經(jīng)通過所有JEDEC可靠性標準測試
常關(guān)型SiC JFET
無柵氧及對應(yīng)可靠性問題
短路耐量超 SiC VDMOS 4-5倍
開關(guān)損耗極低

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